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政策

内容

2015年5月

《湖南省集成电路产业发展规划》（2015-2020年）

起步阶段（2015—2017年）。重点扶持2—3家集成电路龙头企业，培育一批以工业控制、轨道交通、数字电视、汽车电子、卫星导航芯片为主业的集成电路企业。
发展阶段（2017—2020年）。建成拥有国际先进水平的以IGBT、SiC器件等新一代电力电子器件为重点的集成电路特色工艺生产基地。
未来以建成拥有国际先进水平的以IGBT、SiC器件等新一代电力电子器件为重点的集成电路特色工艺生产基地为目标，完善芯片设计、制造和检测生产手段和工艺，继续加大MOSFET、FRED等产品开发力度，提升特色工艺技术水平，构建完整的产品链，做大产业规模。

2016年8月

湖南省推进供给侧结构性改革产业转型升级规划（2016-2020年）

大力推进信息安全产业基地建设，加快自主可控信息安全产品和装备研发制造，加快信息通信设备、智能制造信息设备、移动互联网等重要信息系统软硬件国产化替代步伐。加快发展导航、工控等特色集成电路芯片，以IGBT、碳化硅（SiC）器件等为主的电子器件，离子注入机等集成电路产业。

2016年12月

《湖南省“十三五”科技创新规划》

把握新一代信息技术，新一代基因组技术、干细胞等生物技术，石墨烯、碳化硅纤维等新材料技术，人工智能等智能制造技术等颠覆性技术群体突破的战略机遇，采取市场主导与政府扶持相结合、整体布局与重点突破相结合的方式，加强核心技术研发，培育经济发展新的增长点。

2017年3月

《湖南省电子信息制造业“十三五”发展规划》

加快布局碳化硅、氮化镓等新一代半导体器件，争取掌握全套的硅基、SiC、GaN器件封装材料、封装设计和封装工艺技术，满足高压、大容量和高温功率模块的需求。

2017年7月

《湖南省高新技术产业开发区创新驱动发展提质升级三年行动方案
（2017-2019年）》

把握新一代信息技术、新材料技术、生物技术、新能源技术、智能制造技术等颠覆性群体技术突破的战略机遇，超前部署前沿技术研发，加快培育移动互联网、大数据、高性能数字芯片、新一代光纤通信器件、北斗导航、传感器、新能源汽车、能源互联网、工业机器人、3D打印、石墨烯、碳化硅等新增长点。

2019年10月

《长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策》

对企业的晶圆试流片、全掩膜功工程产品首次流片，购买IP核费用，分别给予企业实际交易额60%、50%、50%的补贴，同一企业年度补贴最高500万元。

对企业采购市内企业生产的材料、芯片、关键零部件及设备，按照采购金额的10%给予补贴，单个企业最高500万元。

2020年2月

《湖南省数字经济发展规划（2020-2025年）》

布局新一代半导体产业。推动IGBT、第三代半导体等重大项目，构建完善产品链，促进氮化镓和碳化硅器件制造技术开发，发展器件级、晶圆级封装和系统级测试技术，提升工艺技术水平，加快实现规模化生产能力。推进功率半导体器件创新中心等创新平台建设，探索行业共性关键技术联合攻关和产业化路径。到2025年，产业规模达到300亿元，形成以设计业为龙头、特色制造业为核心、装备及材料等配套产业为支撑的发展格局，成为全国功率器件中心、第三代半导体重要基地、集成电路设计和装备特色集聚区。

2021年1月

《湖南省碳基材料产业链三年行动计划（2021-2023年）》

加速发展碳化硅材料产业链。支持碳化硅等新一代半导体材料产业基地、科创中心和智造及应用中心建设。依托我省IGBT产业优势，推进大尺寸碳化硅单晶的研发及在芯片、电力电子、微波电子、光电子等器件的应用研究，加快高性能铝碳化硅、碳化硅涂层材料的推广应用。

2021年2月

《长沙市打造国家重要先进制造业高地三年行动计划（2021-2023年）》

加快集成电路产业发展。充分发挥长沙作为全国唯一实现CPU、GPU、DSP三大芯片设计国产自主的城市这一技术优势，深化集成电路设计协同创新，强化集成电路重大项目引进，在北斗导航、物联网、智能驾驶、工业互联网等省市优势产业领域形成长沙集成电路品牌及特色。

发展新一代半导体材料产业。依托三安光电等优质项目，发展第三代半导体碳化硅材料、氮化镓材料。招大引优，积极引进碳化硅衬底材料、外延材料和器件龙头企业。以普照信息为基础，大力发展掩膜版产业。联合国防科技大学、中电科48所等科研机构开展晶圆制备关键辅助材料（光刻胶、洁净气体、溅射靶材、抛光液、研磨液、沉积材料等）的研发，加快国产化替代步伐，提高生产原材料与封装材料国产化比例，提升产业保障能力。